| 所在地区: | 湖北-武汉- | 发布日期: | 2026年8月21日 |
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1.项目名称:(略)
2.成交供应商名称:(略)
3.成交供应商地址:(略)
4.成交金额(折合人民币):(略)
5.付款方式:(略)
6.主要成交标的:
序号 | 服务名称 | 服务内容 | 服务期限 |
1 | 光计算芯片后道工艺加工 | 1、电子束光刻,剥离(略)nmCr/(略)nmAu,制作套刻mark;2、电子束套刻1/0层,刻蚀(略)nmSi,小线宽小间距均为(略)nm;3、电子束套刻2/0层,刻蚀(略)nmSi,小线宽(略)nm,小间距(略)nm;4、沉积2umSiO2,紫外套刻3/0层,剥离(略)nmTiN,小线宽4um;5、紫外套刻4/0层,剥离(略)nmCr/(略)Au,小线宽(略)um;6、沉积(略)nmSiO2,紫外套刻5/0层,刻蚀(略)nmSiO2开窗;7、紫外套刻6/0层,刻蚀2.5umSiO2+(略)nmSi+2umSiO2+1umSi,小线宽(略)um | 合同签订后(略)个工作日内 |
华中科技大学武汉光电国家研究中心
(略)年(略)月(略)日
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